SK啟方半導體加大力度開發GaN新一代功率半導體
韓國首爾2024年6月19日 /美通社/ -- 韓國8英寸晶圓代工廠SK啟方半導體（SK keyfoundry）今日宣布，已確保新一代功率半導體GaN（氮化鎵）的關鍵器件特性。公司正在加大GaN的開發力度，力爭在年內完成開發工作。
SK啟方半導體持續關注著GaN功率半導體的市場和潛力。為此，公司于2022年成立了一個專職團隊來推動GaN工藝的開發。日前，公司已得到650V GaN HEMT的新器件特性，并計劃在今年年底完成開發工作。
由于650V GaN HEMT具有較高的功率效率，因此與硅基產品相比，可以降低散熱器的成本。也正因如此，與硅基產品相比，終端客戶系統的價格差異較小。該公司預計，硅基650V產品將為快速充電適配器、LED照明、數據中心和ESS以及太陽能微型逆變器等市場的無晶圓廠客戶帶來開發優質產品的優勢。除了爭取新客戶外，SK啟方半導體還計劃積極向對650V GaN HEMT技術感興趣的現有功率半導體工藝客戶推廣該技術。
GaN具有高速開關、低導通電阻等特性，與硅基半導體相比，具備低損耗、高效率和小型化的優越特性，因此被稱為新一代功率半導體。據市場調研公司OMDIA預測，GaN功率半導體市場將以33%的復合年增長率增長，從2023年的5億美元增至2032年的64億美元，主要用于電源、混合動力、電動汽車以及太陽能逆變器。
SK啟方半導體表示，公司計劃以650V GaN HEMT為基礎，打造GaN產品組合，可為GaN HEMT和GaN IC提供多種電壓支持。
SK啟方半導體首席執行官Derek D. Lee表示："除了具有競爭力的高壓BCD外，我們還在為下一代功率半導體做準備。我們還將擴大功率半導體產品組合，未來除GaN以外，還將開發SiC（碳化硅），以確立我們作為專業功率半導體代工廠的地位。"
