射頻易商城_芯片電容_高電容密度硅基MIS芯片電容①
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高電容密度硅基MIS芯片電容①
金 屬一絕緣 層一半 導體 (M etal—insulator—semicon—ductor ,MIS) 結(jié) 構作 為一 種 電容 器 結(jié) 構 多 年來 已被廣 泛研 究 _1 ] ,在很 多領 域諸 如微 波耦 合 、隔 直 、 濾波等方 面都有 著 重 要 的應 用 。 近 年來 ,電 容 器 的 高 溫性 能 受到越 來 越 多 的關 注 ,在 自動 汽 車 、 制 導 、航 空航 天 等領 域?qū)?低溫 度系 數(shù) 的電容 器具 有迫 切 的市 場需 求 [5] 。 常 規(guī) 的 陶 瓷 電 容 器 溫 度 系 數(shù) 較 差 ,例 如X 7R 電容 的 電容值 溫度 系數(shù) ( 一 55~ 125℃ ) 達 到 了15 9/6[6 ] ,而 采 用 SiO 、 Si。N 作 為 絕 緣 層 的 硅 基M IS 電容 的溫 度 系數(shù) 則 非 常優(yōu) 秀 ,在 全 溫 區(qū) ( 一55~150℃) 內(nèi)其溫 度 系 數(shù) 低 于 1 ,具 有 極 強 的溫 度穩(wěn)定 性 ,十分 適合 在 寬溫 度范 圍下 工作 。 然 而 ,傳統(tǒng)的平 面 結(jié)構 硅 基 M IS 電容 由 于介 質(zhì) 層 的低 介 電常數(shù) 導致 了其 電容 密 度 相 比陶 瓷 電容 低 很 多 ,雖然 可以通過 降低 介質(zhì) 層 厚 度 一 定 程 度 上增 大 電容 密 度 ,但其耐 壓也 會隨之 降低 ,這些都 極 大地阻礙 了 硅基M IS 電容 的市場 推 廣應 用 。針 對平 面結(jié) 構 M IS 電容 的 電容 密度 低 問 題 , 一 款 3D 結(jié) 構 的硅 基 M IS 芯 片 電容 ,通 過在 硅襯 底 上進行 深 孔 陣列 的刻 蝕 ,極 大地 增加 了 電容 的有 效 電極 面積 ,最 終研 制 成 功 了 電極 尺寸 220 m × 220 m 、擊 穿 電壓 7O V 、 電 容 值 1 000pF 的芯 片電容 ,在相 同 耐 壓下 其 電 容密 度相 比傳 統(tǒng)平面硅基 MIS 芯片 電容提 升 了 約 5O 倍 ,同 時 保 留 了傳統(tǒng)平 面硅基 MIS 芯 片 電 容低 溫 度 系 數(shù) 的優(yōu) 點 ,使硅基 M IS 電容在大 電容領域方 面的應用 成 為 可能
推薦產(chǎn)品一、麗芯微電47pF, ≥100G@100V, 雙面不留邊 單層芯片電容
型號:C11-20-100V-470
容值/容差:47pF / ±20%
溫度系數(shù):±15%@-55~+125℃
絕緣電阻@電壓:≥100G@100V
損耗@頻率:≤4.0@1KHz
封裝尺寸:0.508*0.508*0.178 mm
性能特點:尺寸小、容值大,結(jié)構簡單,電極正面及反面均不留絕緣邊;采用MM結(jié)構,產(chǎn)品寄生參數(shù)小,使用頻率高至100GHz;表面純金電極,適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、導電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。
推薦產(chǎn)品二、麗芯微電6800pF, ≥1G@25V, 雙面不留邊 單層芯片電容
型號:C11-70-25V-682
容值/容差:6800pF / ±20%
溫度系數(shù):±15%@-55~+125℃
絕緣電阻@電壓:≥1G@25V
損耗@頻率:≤2.5@1MHz
封裝尺寸:1.778*1.778*0.150 mm
性能特點:尺寸小、容值大,結(jié)構簡單,電極正面及反面均不留絕緣邊;采用MM結(jié)構,產(chǎn)品寄生參數(shù)小,使用頻率高至100GHz;表面純金電極,適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、導電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。
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