射頻易商城_芯片電容_集成芯片電容的基本資料詳解②
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導讀：很多朋友不知道芯片電容的原理及指標，如何選擇芯片電容。射頻易商城RFeasy.cn為你解答芯片電容的原理及指標
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集成芯片內電容的基本資料詳解②
元器件供應商可以采用不同的技術把去耦電容嵌入到集成芯片當中。 一種方法是把硅晶片放到集成芯片 之前先嵌入去耦電容， 如圖 1 所示。 圖 1硅芯片封裝內部的去耦電容 雙層金屬膜中間再加一層介質層， 就形成了 一個質量可靠的平板電容器。由于外加電壓很低， 所以介質層可以做得很薄。 對于一個很小的區域， 它產生的電容完全可以滿足需要， 并且有效的引線長度趨于零。另外， 平行板結構獲得的諧振頻率非常高。 這種技術的優勢突出在成本很低， 在不需要分立去耦電容的情 況下可以提高性能。另外一種方法是在集成芯片中來用強壓技術形成去耦。 高密度元件常常直接把表面安裝（SMT） 電容加入到集成芯片之中。 分立電容常在這個時候用于多芯片模塊中。 根據硅盤入侵峰值電流沖激情況， 以設各所需的充電電流為基礎來選擇合適的電容。 此外， 在元件產生自激時能對差模電流產生抑制作用。 如圖 2 所示， 雖然內嵌有電容， 在模塊外部同樣需要加上分立電容。正如前面所述， 元件在開關周期內， 去耦電容提供了瞬時的充、 放電。 去耦電容必須向器件提供足夠快的充、 放電過程以滿足開關操作的需要。 電容的自激頻率取決于很多因素， 不僅包括電容大小， 還包括 ESL、 ESR 等。 圖 2多芯片模塊內部的去耦電容布局 對于高速同步設計而言， CMOS 功率損耗表現為容性放電效應。 例如，—個在 3. 8V 哇壓、 200MHz 頻率下的設備損耗 4800 mW 的功率時， 就會大約有 4000 pF 的容性損耗。 這可以在每個時鐘觸發下觀測得到。
推薦產品一、麗芯微電 100pF, ≥100G@100V, 雙面不留邊 單層芯片電容
型號：C11-25-100V-101
容值/容差：100pF / ±20%
溫度系數：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥100G@100V
損耗@頻率：≤4.0@1KHz
封裝尺寸：0.635*0.635*0.178 mm
性能特點：尺寸小、容值大，結構簡單，電極正面及反面均不留絕緣邊;采用MM結構，產品寄生參數小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。
推薦產品二、麗芯微電 2200pF, ≥1G@25V, 雙面不留邊 單層芯片電容
型號：C11-40-25V-222
容值/容差：2200pF / ±20%
溫度系數：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥1G@25V
損耗@頻率：≤2.5@1MHz
封裝尺寸：1.016*1.016*0.150 mm
性能特點：尺寸小、容值大，結構簡單，電極正面及反面均不留絕緣邊;采用MM結構，產品寄生參數小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。
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