射頻易商城_芯片電容_高介薄型陶瓷芯片電容制備工藝研究⑤
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導(dǎo)讀：很多朋友不知道芯片電容中的高介薄型陶瓷芯片電容制備工藝研究，如何選擇芯片電容。射頻易商城RFeasy.cn為你解答芯片電容中的高介薄型陶瓷芯片電容制備工藝研究
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高介薄型陶瓷芯片電容制備工藝研究⑤
2. 2 過渡層厚度對(duì)器件性能的影響
選用 HT 作為陶瓷介質(zhì)基片, 由 于復(fù)合膜層( 如 TaN/TiW、 TiW/Ni) 不易準(zhǔn)確分解各層的厚度, 會(huì)使 測試數(shù)據(jù)出現(xiàn)錯(cuò)誤。 因此針對(duì)過渡層厚度對(duì)器件性能 影響的分析, 高介薄型陶瓷芯片電容的制備選擇溫度 穩(wěn)定性較好、 制備難度較低的 TiW/Au 膜系, 通過控 制濺射的參數(shù), 使過渡層的厚度分別為 80, 400, 600 nm, 種子層濺射完成后觀察表面覆蓋情況, 然后進(jìn)行 外金屬電極制備和分片切割, 最后測量高介薄型陶瓷 芯片電容的性能。2. 2. 1 不同過渡層厚度樣品表面覆蓋情況
在濺射完成后, 通過 SEM 觀察樣品表面, 不同厚 度過渡層對(duì)應(yīng)樣品表面的 SEM 圖如圖 6。 從圖 6 ( a) 可以看出, 采用 80 nm 厚度過渡層制備 的電容樣品表面膜層覆蓋不完全, 表面有明顯的陶瓷 介質(zhì)晶粒。 當(dāng)過渡層厚度增加至 400 nm 時(shí), 電容樣品 表面覆蓋情況有明顯改善, TiW 層將陶瓷表面包裹完 全, 基本看不見裸露在外的陶瓷晶粒, 充分阻斷了表
面金屬電極與陶瓷介質(zhì)的接觸。 再將緩沖層厚度提高到 600 nm 后, 電容樣品表面包裹覆蓋情況進(jìn)一步提高, 已經(jīng)完全看不到裸露在外的陶瓷晶粒, 而且也看不見晶粒的輪廓, 整個(gè)緩沖層表面平整、 光滑且致密。因此從膜層覆蓋的情況來看, 膜層厚度在 400 nm 時(shí)已經(jīng)能比較好地覆蓋介質(zhì)陶瓷, 當(dāng)增加到 600 nm 后, 表面覆蓋更加完整, 已基本看不到表面晶粒的輪廓。
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