射頻易商城_芯片電容_檢測微小電容的測頻專用芯片⑧
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用于微小電容檢測的測頻專用芯片
在ＣＭＯＳ集成屯路設計中， 帶有反向操作的邏輯門要比相應的無反向操作的邏輯門少用兩個晶體管， 而且速度更決， 所以將Ｆ“）： 拍（ｒ）?聲Ｏ）化簡成上面所示形式。 通過觀察該式， 很容易得到同步脈沖產生器的邏輯電路原理圖如圖３—５所示。在數字設計巾， 可綜合的延時方法有：
一使信號經過邏輯門得到延時（如非門）；一使用器件提供的延時單元
一用適當的時鐘驅動移位寄存器
當使用多級非門的時候綜合器往往會將其優化掉， 因為綜合器會認為偶數個 非門級聯足冗余邏輯。 現在可以在綜臺工具的選項中設置保持層次、 禁止優化邏 輯。 這樣， 非門就不會被綜合工具優化掉。 用器件自帶的延時單元也可以產生延 時， 忸是這樣形成的延時在ＦＰＧＡ芯片中并不穩定， 會隨著溫度等外部條件的變 化而改變， 因而不太提倡。 用適當的時鐘來驅動移位寄存器， 待延時信號作數據 輸入， 按所需延時正確設置移位寄存器的級數， 移位寄存器的輸出即為延時后的 信號。 此方法產生的延時信號與原信號比有誤差， 誤差大小由時鐘的周期來決定。 對于數據信號的延時， 在輸出端用數據時鐘剝延時后信號重新采樣， 就可以消除 誤差。
３． ３． ２控制器
控制器的功能是完成如圖３—７所示的時序， 它為計數器產生清零和使能信號。丁為預置閘門信號， ｓｙｎ—ｏｕｔ為同步脈沖， ｃ肛為圖３－１中所示的計數器Ａ、 計數器Ｂ的清零信號， 而ｅ／ｌ為這兩個計數器的使能信號。 其中， ｃｆｒ和ｅ／，／均為高電平圖３． ７控制器工作時序有效。 觀察圖３． ７， Ｚ的上升沿到來時， 立刻將ｃ掃置為高電平直到丁上升沿后的第一個同步脈沖出現時ｃ咖變成低電平。 ｃ肛變為低電平的同時， ｅｎ被置為高電平直到ｚ的下降沿后的個同步脈沖出現時ｅ， ｌ變為低電平。
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性能特點：尺寸小、容值大，結構簡單，電極正面及反面均不留絕緣邊;采用MM結構，產品寄生參數小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。
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