射頻易商城_低噪聲放大器芯片_低噪聲放大器基本設(shè)計方法②
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導(dǎo)讀：很多朋友不知道低噪聲放大器的基本設(shè)計原理，如何選擇低噪聲放大器。射頻易商城RFeasy.cn為你解答Gain Block的基本設(shè)計原理。
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LNA的基本設(shè)計②
目前廣泛使用的是金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管低噪聲放大器。 它的核心部件是金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MESFET） 。 金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管是用本征砷化鎵作為基片的襯底， 用特殊工藝形成源極（S） 、 柵極（G） 和漏極（D） 三個電極； 通過柵極電壓來控制漏極電流， 從而實(shí)現(xiàn)對小信號的放大功能。微波場效應(yīng)管的主要參數(shù)有： 特征頻率、 單向功率增益和振蕩頻率、 最大輸出功率和噪聲特性。微波場效應(yīng)管低噪聲放大器設(shè)計主要考慮的問題是計算輸入、 輸出匹配網(wǎng)絡(luò)和選擇工作點(diǎn)。 通常、 二級按最小噪聲系數(shù)設(shè)計， 中間級按高增益設(shè)計， 末級則保持良好的線性， 滿足系統(tǒng)互調(diào)特性的要求。微波場效應(yīng)管低噪聲放大器的設(shè)計步驟：
1、 選擇適當(dāng)?shù)碾娐沸问?/span>一般采用共源極電路形式， 并盡可能選用 fT 高的管子。
2、 確定工作點(diǎn)和偏置電路
小信號管做低噪聲放大時， 漏極電流很小， 一般為 10mA 左右。 而作高增益放 大時， 漏極電流略大些， 一般在 10～30mA。 偏置電路的選擇和低頻電路類似， 有 恒流式偏置電路和分壓式偏置電路兩類。
3、 晶體管噪聲參量和 S 參數(shù)的獲得
大多數(shù)情況下晶體管的生產(chǎn)廠家提供相應(yīng)型號的器件的噪聲參量和 S 參數(shù)。晶體管的噪聲參量和 S 參數(shù)也可以通過在實(shí)際工作點(diǎn)下， 測量所需頻段的噪聲參量和 S 參數(shù)得到。
推薦產(chǎn)品一、麗芯微電1 to 30GHz, LXA1014 通用低噪聲放大器Die 裸芯片
頻率：1 ～30 GHz
增益：18dB
噪聲系數(shù)：2.5dB
-1dB輸出功率：16.0dBm
輸入回波損耗：-30dB
輸出回波損耗：-30dB
工作電流：70mA @+5V
推薦產(chǎn)品二、麗芯微電1 to 30GHz, LXA1015 通用低噪聲放大器Die 裸芯片
頻率：1 ～30 GHz
增益：17dB
噪聲系數(shù)：2.8dB
-1dB輸出功率：19.0dBm
輸入回波損耗：-30dB
輸出回波損耗：-20dB
工作電流：150mA @+8V
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