射頻易商城_芯片電容_集成芯片電容基本資料解釋①
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導讀：很多朋友不知道芯片電容的原理及指標，如何選擇芯片電容。射頻易商城RFeasy.cn為你解答芯片電容的原理及指標
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集成芯片內電容的基本資料詳解①
集成芯片內電容 現代微處理器、 數字信號處理器和專用集成電路等技術的飛速發展， 已成為電磁干擾的主要來源。 如今的主要輻射源不再是由不合理的步線、 板結構、 阻抗失配或電源不穩定原因所產生。 器件的工作頻率已從 20～50 MHz 發展到了 200～5000MHz， 甚至更高。 隨著時鐘頻率的提升， 每個 VLSI 器件存在切換電流， 切 換電流的傅里葉頻譜產生 RF能量， 使得數字器件必然會存在輻射。現代集成電路工藝的發展使得上百萬的晶體管被集成到一塊小硅片上， 生產工藝達到了 0. 18 μ m 線寬。 雖然硅片尺寸不斷收縮， 但元件數量增加了， 使得產品的批量生產、 降低制造成本成為可能。 同時，線寬越小， 兩個邏輯門元件之間的傳輸延時就越短。 但邊沿速率加快， 輻射能力也就隨之增強， 狀態切換效應在集成芯片內部之間感應的作用下， 加大了能量損耗。硅片需要從電源分配網絡中獲得電流， 只有當電流達到一定數值時才能驅動傳輸線。 邊沿速率越快，就需要提供達到更率的直流電流。 切換開關在電源分配網絡中的來回轉換， 會在電源板和接地板之間引起差模電流的不平衡。 隨著共模、 差模電流的失調， 在 EMI 測試中， 會發現共模電流在電纜組裝連接處或 PCB 元件中產生輻射。
推薦產品一、麗芯微電10000pF, ≥1G@25V, 雙面不留邊 單層芯片電容
型號：C11-90-25V-103
容值/容差：10000pF / ±20%
溫度系數：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥1G@25V
損耗@頻率：≤2.5@1MHz
封裝尺寸：2.290*2.290*0.178 mm
性能特點：尺寸小、容值大，結構簡單，電極正面及反面均不留絕緣邊;采用MM結構，產品寄生參數小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。
推薦產品二、麗芯微電1000pF, ≥1G@50V, 雙面不留邊 單層芯片電容
型號：C11-30-50V-102
容值/容差：1000pF / ±20%
溫度系數：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥1G@50V
損耗@頻率：≤2.5@1MHz
封裝尺寸：0.762*0.762*0.178 mm
性能特點：尺寸小、容值大，結構簡單，電極正面及反面均不留絕緣邊;采用MM結構，產品寄生參數小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。
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