射頻易商城_芯片電容_電容如何正確地接入芯片的電路⑤
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電容正確接入芯片的電路及方法⑤
作為進一步的技術方案，該檢測方法具體為：上電伊始，先同時打開開關管、第二開關管、第三開關管，使得同時給電容、第二電容和芯片引腳電容進行充電，然后再在設定的一個時間內 ，去比較三個電容所充的電壓值，如果電容的電壓值<芯片引腳電容的電壓值，且第二電容的電壓值>芯片引腳電容的電壓值，則說明芯片引腳電容正常接入，能正常開啟芯片。與現有技術相比，本發明能夠在集成電路主體功能電路工作之前，對引腳的連接性進行自我檢測，在滿足設定的條件下，才進入正常的啟動過程，如果檢測到引腳的電容出現異常，將對芯片進行鎖定，直至問題解決。從而確保在引腳連接異常的情況下，芯片限制工作不會因工作異常而導致損壞。如圖1所示，本發明提供一種基于電容范圍來檢測芯片引腳電容正確接入的電路，該電路包括電流源I1、第二電流源I2、第三電流源I3、開關管M1、第二開關管M2、第三開關管M3、電容C1、第二電容C2、比較器、第二比較器和與門電路。開關管M1、第二開關管M2、第三開關管M3的控制信號端相連，G1是三個開關管的控制信號，G1高電平表示開關打開，低電平表示開關關斷。開關管M1的一端連接電流源I1，開關管M1的另一端分別連接電容C1、第二比較器的負極端。電容C1的另一端接地。第二開關管M2的一端連接第二電流源I2，第二開關管M2的另一端分別連接第二電容C2、比較器的正極端。第二電容C2的另一端接地。第三開關管M3的一端連接第三電流源I3，第三開關管M3的另一端分別比較器的負極端、第二比較器的正極端、芯片A2的輸出信號端、芯片引腳電容Cout。芯片引腳電容Cout的另一端接地。比較器和第二比較器的輸出端分別連接與門電路的兩個輸入端，與門電路的輸出端連接芯片A2的開啟信號端。開關管為PMOS、NMOS、NPN、PNP中的一種。第二開關管為PMOS、NMOS、NPN、PNP中的一種。第三開關管為PMOS、NMOS、NPN、PNP中的一種。V1表示電容C1結點的電壓值； V2表示電容C2結點的電壓值； A2表示原有的基本芯片電路；芯片A2與芯片引腳電容Cout相連的線是原有的信號，表示輸出信號。芯片A2與與門電路的輸出端相連， 用檢測的外部電容OK的信號，去開啟A2原有的基本芯片電路。本發明利用充電來判斷電容在一定的范圍內，進而實現芯片引腳電容是否正確接入的檢測。如圖2所示，本發明的工作流程是：芯片A2上電后，檢測芯片引腳電容，然后判斷芯片引腳電容是否有電容，如果判斷為是，則芯片A2正常工作輸出，如果判斷為否，則重新檢測芯片引腳電容。
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容值/容差：6800pF / 20%
溫度系數：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：20%
損耗@頻率：100V
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性能特點：電容器ESL小，諧振頻率高;適合鍵合組裝方式，與半導體芯片相同的裝配工藝;容量高，相比單層陶瓷電容器體積更小，可提供良好的溫度特性;應用GaAs、GaN芯片的外圍電路;電路濾波與靜噪；微組裝電路中的濾波與靜噪;其他需要小型化的微組裝領域，可替代部分單層電容。
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容值/容差：680pF / 20%
溫度系數：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：20%
損耗@頻率：100V
封裝尺寸：0.5*0.5*0.35 mm
性能特點：電容器ESL小，諧振頻率高;適合鍵合組裝方式，與半導體芯片相同的裝配工藝;容量高，相比單層陶瓷電容器體積更小，可提供良好的溫度特性;應用GaAs、GaN芯片的外圍電路;電路濾波與靜噪；微組裝電路中的濾波與靜噪;其他需要小型化的微組裝領域，可替代部分單層電容。
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